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华中科技大学发现反常光电化学刻蚀效应｜新方法助力微纳米制造

发表时间：2026-04-22 05:21:02
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摘要近日，华中科技大学机械学院课题组在Nature Communications上发表成果 “无掺杂半导体表面的反常光电化学刻蚀效应”，这是在国际上首次发现反常光电化学刻蚀效应。　　【机床商务网栏目科技动态】8月23日，机械学院朱金龙教授课题组、刘世元教授课题组、高亮教授课题组组成的联合研究团队，在Nature Communications上发表成果 “无掺杂半导体表面的反常光电化学刻蚀效应”(Anomalous photoelectrochemical etching of undoped semiconductor surfaces)。这是在国际上首次发现反常光电化学刻蚀效应。机械学院2024级博士生彭攀为第一作者，机械电子信息工程系教授朱金龙为通讯作者。

　　在过去的数十年里，半导体的光电化学刻蚀效应一直被认为是光生载流子在半导体与电解质溶液接触表面形成的内建电场作用下迁移到样品表面参与并催化电化学刻蚀导致的结果。本研究报道了一种反常的物理现象，即在光电化学刻蚀过程中，具有横向(平行于半导体表面)梯度的空间光场照明能够诱导无掺杂半导体表面的光生载流子产生横向迁移，载流子浓度的重新分布导致在无掺杂半导体中产生了与常规光电化学刻蚀相反的刻蚀结果。实验结果表明光照强度与梯度、载流子扩散长度等因素与该过程密切相关。